台积电
台积电探索芯片内存与3D DRAM，英伟达算力瓶颈正转向存储
台积电同时推进把存储直接做进逻辑芯片，以及应英伟达需求评估3D DRAM生产。前者有望降低处理器缓存的功耗与延迟，后者说明AI芯片短缺已从算力延伸至内存供应，但量产时间仍未确定。
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三星
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HBF 新型存储芯片登场 — 三星押注，AI 推理成本账可能被改写
HBF（高带宽闪存）是介于 DRAM 和传统 NAND 之间的一种新存储形态。亚洲厂商押注它能压低 AI 推理成本。值得关心：未来跑大模型，不一定非要用最贵的内存。