3D DRAM

台积电探索芯片内存与3D DRAM，英伟达算力瓶颈正转向存储

台积电同时推进把存储直接做进逻辑芯片，以及应英伟达需求评估3D DRAM生产。前者有望降低处理器缓存的功耗与延迟，后者说明AI芯片短缺已从算力延伸至内存供应，但量产时间仍未确定。